VO2薄膜制备技术及其应用进展

时间:2024-07-21 人气:

摘 要:本文综述了溅射法、溶胶-凝胶法、蒸发法、常压化学气相沉积法等制备VO2薄膜的方法,并对其应用现状进行了阐述,对发展趋势进行了预测。

关键词:二氧化钒;制备;应用

0 引言

VO2作为固态热致相变材料,当温度在68℃时,因热驱动而发生相转变,VO2晶体结构会随之发生变化(单斜结构转变为四方金红石结构),同时其光学和电学性能也会发生突变。VO2薄膜优异的电学和光学特性,使得其具有较高的实用价值和广阔的应用前景,在多个领域中发挥着重要作用[1]。

当前用于制备VO2薄膜的方法主要有溅射法、溶胶-凝胶法、蒸发法、常压化学气相沉积法等。

1 二氧化钒薄膜的制备方法

1.1 溅射法

该法是在通氧条件下溅射金属钒靶,淀积与反应同时进行,溅射所用设备可以是离子束溅射或磁控溅射,用Ar+离子束溅射钒靶,在加热衬底上形成VO2多晶薄膜,然而在较低衬底温度下晶粒尺寸会较小,两相电阻比Rs/Rm小。采用反应磁控溅射,,在Ar气中混合O2,可在蓝宝石衬底上外延出VO2,外延VO2薄膜具有相变陡峭、热滞效应小等特性。

此外,还有溅射V2O5粉末靶制备VO2的报道。用纯Ar+离子直接溅射V2O5粉末靶,即可在衬底上淀积出二氧化钒。周进等人采用Ar+离子柬溅射V2O5粉末靶在室温下淀积出的氧化钒薄膜为高价态V2O5[2]。

1.2 溶胶-凝胶法(Sol-Gel)

将VO(OC3H7)3溶于某些有机溶剂配成母液,用涂胶机或漂洗仪将母液涂布于衬底上,温度在370~670℃范围内进行烘干沉底生成V2O5。将V(OR)4溶液均匀涂布于玻璃衬底上,凝胶后形成VO2·X(H2O),在N2气中经200~700℃烘干衬底,即获得VO2。该法制备成本低,可大面积制备,客易掺杂,可双面一次形成,但厚度较难控制,工艺控制要求较高,容易使薄膜开裂或起泡[3]。

1.3 蒸发法

通常用V2O5粉末蒸发淀积VO2薄膜。单纯蒸发获得的氧化钒薄膜一般为缺氧的V2O5,在200~500℃氧气中退火,薄膜即转变为符合化学计量比的VO2,薄膜的机械强度得到了提高,与衬底附着力也得到优化。若在通氧下进行蒸发,可淀积得到V2O5,但要在较低的衬底温度下淀积,使得薄膜机械强度和附着力变差。用上述蒸发法获得的薄膜,难以制备低价态氧化钒,有人用反应蒸发的方法制备低价态氧化钒。Case采用电子束蒸发金属钒,在通氧下,在蓝宝石、CaF2、石英等多种衬底上淀积出VO2。他还通过Ar+、O-离子辅助反应蒸发获得VOx(x 相关文档:
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